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2N3637分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N3637
廠商型號

2N3637

參數(shù)屬性

2N3637 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS

功能描述

RADIATION HARDENED

文件大小

233.24 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 17:00:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N3637(S)

  • 別名:

    2N3637三極管、2N3637晶體管、2N3637晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    175V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >150MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    175

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3637

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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