2N3251A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N3251A |
| 參數(shù)屬性 | 2N3251A 封裝/外殼為T(mén)O-205AD，TO-39-3 金屬罐；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 0.2A TO39 |
| 功能描述 | PNP BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 |
| 文件大小 |
64.64 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 12:06:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
2N3251A三極管、2N3251A晶體管、2N3251A晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
開(kāi)關(guān)管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.2A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BSW24,2N2906A,2N2907A,
- 最大耗散功率：
0.36W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
D-8
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
0.2
- wtest：
0.36
2N3251A規(guī)格書(shū)詳情
2N3251A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由美高森美公司制造生產(chǎn)的2N3251A晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/323
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N3251A
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-39（TO-205AD）
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.2A TO39
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N3251A |
94 |
94 |
詢價(jià) | ||||
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