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2N2013中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N2013
廠商型號

2N2013

功能描述

SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V

文件大小

80.28 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-22 18:24:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N2013

  • 別名:

    2N2013三極管、2N2013晶體管、2N2013晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    50HZ-Thy

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    1.3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    MCR606-5,TAG615-300,2N2328,2N6336,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-78

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.3

  • wtest:

    0

2N2013規(guī)格書詳情

Description: SCR, V(DRM)= 300 V to 399.9 V

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N2013

  • 制造商:

    NJSEMI

  • 制造商全稱:

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述:

    SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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