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2ED2388S06F

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Features ?UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology ?NegativeVStransientimmunityof-100V ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Operatingvoltages(VSnode)upto+650V ?Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V ?Integratedultra-fast,low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2388S06FXUMA1

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
24+
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英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售
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INFINEON/英飛凌
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Infineon(英飛凌)
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Infineon(英飛凌)
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3000
10年專業(yè)做電源IC/原裝現(xiàn)貨庫存
 詢價(jià)
更多2ED2388S06F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 11:06:00

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