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2ED21834S06J

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode

Description The2ED2181(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnegat

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED21834S06J

650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Description The2ED2182(4)S06F(J)isahalf-bridgehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED21834S06JXUMA1

Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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Infineon(英飛凌)
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Infineon/英飛凌
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更多2ED21834S06J供應(yīng)商 更新時間2025-1-19 23:00:00