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20N06中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

20N06
廠商型號(hào)

20N06

功能描述

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.3482 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-6 20:00:00

20N06規(guī)格書詳情

General Description

The 20N06 uses advanced trench technology and design to

provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be

used in a wide variety of applications.

Features

VDS = 60V,ID =20A

RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V

RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V

Advanced Trench Technology

Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge

Lead free product is acquired

Application

Load Switch

PWM Application

Power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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