205PSB850K2J_電容器 薄膜電容器高頻,開(kāi)關(guān);高脈沖,DV/DT;吸收電路-伊利諾斯

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原廠料號(hào):205PSB850K2J品牌:Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

資料說(shuō)明:CAP FILM 2UF 10% 850VDC RADIAL

205PSB850K2J是電容器 > 薄膜電容器。制造商ILLINOISCAPACITOR/伊利諾斯生產(chǎn)封裝徑向的205PSB850K2J薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲(chǔ)電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF,電壓為 2.5 V 至 100 V,封裝尺寸為 0201 至 1210,容差為 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型號(hào):

    205psb850k2j

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ILLINOISCAPACITOR【伊利諾斯】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Illinois Capacitor, Inc.

  • 中文名稱(chēng):

    伊利諾斯電容器股份有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    CAP FILM 2UF 10% 850VDC RADIAL

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    205PSB850K2J

  • 制造商:

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 類(lèi)別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列:

    PSB

  • 包裝:

    散裝

  • 容差:

    ±10%

  • 額定電壓 - AC:

    500V

  • 額定電壓 - DC:

    850V

  • 介電材料:

    聚丙烯(PP),金屬化

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 100°C

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    徑向

  • 大小 / 尺寸:

    1.673" 長(zhǎng) x 1.181" 寬(42.50mm x 30.00mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    1.772"(45.00mm)

  • 端接:

    PC 引腳

  • 引線間距:

    1.476"(37.50mm)

  • 應(yīng)用:

    高頻,開(kāi)關(guān);高脈沖,DV/DT;吸收電路

  • 描述:

    CAP FILM 2UF 10% 850VDC RADIAL

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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