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204HC3102K4TM6_電容器 薄膜電容器傳導(dǎo)冷卻，高脈沖，DV/DT-CDE

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原廠料號：204HC3102K4TM6品牌：Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

資料說明：CAP FILM 0.2UF 10% 1KVAC CHAS MT

204HC3102K4TM6是電容器 > 薄膜電容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生產(chǎn)封裝非標(biāo)準(zhǔn)的204HC3102K4TM6薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

  • 芯片型號：

    204hc3102k4tm6

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    CDE詳情

  • 廠商全稱：

    Cornell Dubilier Electronics

  • 資料說明：

    CAP FILM 0.2UF 10% 1KVAC CHAS MT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    204HC3102K4TM6

  • 制造商：

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    HC3

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 額定電壓 - AC：

    1000V（1kV）

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP）

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    非標(biāo)準(zhǔn)

  • 大小 / 尺寸：

    2.362" 長 x 2.362" 寬（60.00mm x 60.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    1.189"（30.20mm）

  • 端接：

    螺紋，母頭

  • 應(yīng)用：

    傳導(dǎo)冷卻，高脈沖，DV/DT

  • 描述：

    CAP FILM 0.2UF 10% 1KVAC CHAS MT

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