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1N4750AG

1.0WZENERDIODE

PlanarDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–100VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

1N4750AG

HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators

SECELECTRONICS

SEC Electronics Inc.

1N4750AG

VOLTAGE3.3~56V,1WHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

1N4750AG

VOLTAGE3.3~56V,1WHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators

FEATURES ●ZenerVoltageRange3.3to56Volts ●Through-HoleDeviceTypeMounting ●HermeticallySealedGlass ●CompressionBondedConstruction ●AllExternalSurfacesAreCorrosionResistant AndLeadsAreReadilySolderable ●SolderHotDipTin(Sn)LeadFinish ●CathodeIndicatedBy

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

1N4750AG

HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

1N4750AG

ZENERDIODES

VZ:3.3to100V PD:1.0Watt FEATURES: ?Siliconplanarpowerzenerdiodes. ?Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating. ?Standardzenervoltagetoleranceis±5 ?Othertolerancesareavailableuponrequest. ?Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

1N4750A-G

SILICONZENERDIODE

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

1N4750A-G

SILICONZENERDIODE

VOLTAGE3.3to100VoltsPOWER1.0Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals ?GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification ?Pbfreeproductareavailable:99Sn

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

1N4750A-G

Glasspassivatedchip.

ZenerVoltage:3.3to330Volts DCPower:1Watts RoHSDevice Features -Glasspassivatedchip. -Lowleakage. -Built-instrainrelief. -Lowinductance. -Highpeakreversepowerdissipation. -Foruseinstabilizingandclipping withhighpowerrating. Mechanicaldata -Case:Mol

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

1N4750A-LFR

1WATTZENERDIODE

FEATURES ?LOWCOST ?SMALLSIZE ?ROHS

FRONTIER

Frontier Electronics

詳細參數

  • 型號：

    1N4750A-B

  • 功能描述：

    穩(wěn)壓二極管 1.0W 27V 5%

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 齊納電壓：

    12 V

  • 電壓容差：

    5 %

  • 電壓溫度系數：

    0.075 %/K

  • 功率耗散：

    3 W

  • 最大反向漏泄電流：

    3 uA

  • 最大齊納阻抗：

    7 Ohms

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AC

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多1N4750A-B供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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