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193T	文件：158.26 Kbytes Page：1 Pages	INDUCTOR	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
193T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：非標(biāo)準(zhǔn) 類別：電感器，線圈，扼流圈固定電感器描述：FIXED IND 50MH 2A 700 MOHM CHASS	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
AC193	文件：566.92 Kbytes Page：4 Pages	GERMANIUMSMALLSIGNALTRANSISTORS [GermaniumPowerDevicesCorporation] GERMANIUMSMALLSIGNALTRANSISTORS PROELECTRONTYPES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
AC193K	文件：566.92 Kbytes Page：4 Pages	GERMANIUMSMALLSIGNALTRANSISTORS [GermaniumPowerDevicesCorporation] GERMANIUMSMALLSIGNALTRANSISTORS PROELECTRONTYPES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
ADXL193	文件：180.46 Kbytes Page：12 Pages	Single-Axis,High-g,iMEMSAccelerometers GENERALDESCRIPTION TheADXL193isalowpower,completesingle-axisaccelerometerwithsignalconditionedvoltageoutputsthatareallonasinglemonolithicIC.Thisproductmeasuresaccelerationwithafull-scalerangeof±120gor±250g(minimum).Itcanalsomeasurebothdynamicaccelerat	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AS193I-BK	文件：532.47 Kbytes Page：1 Pages	NECLCD19DesktopDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
AXP193	文件：1.12122 Mbytes Page：51 Pages	EnhancedsingleCellLi-BatteryandPowerSystemManagementIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFG193	文件：48.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFG193	文件：185.15 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG193	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：60.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：78.91 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：549.81 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193T	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TRW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TRW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
193T
制造商：
Hammond Manufacturing
類別：
電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器
系列：
193
包裝：
散裝
容差：
±15%
屏蔽：
無(wú)屏蔽
DC 電阻 (DCR)：
700 毫歐
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
非標(biāo)準(zhǔn)
大小 / 尺寸：
2.500" 長(zhǎng) x 2.750" 寬（63.50mm x 69.85mm）
高度 - 安裝（最大值）：
3.060"（77.72mm）
描述：
FIXED IND 50MH 2A 700 MOHM CHASS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市艾宇欣科技有限公司	193T	Hammond	2020+	N/A	155	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	193T	HAMMOND	20+	電感器	236	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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更多193T供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 10:18:00

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