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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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CSD18535KCS60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD18535KTT

60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器

CSD18535KTTT

60VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多18535AD供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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