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1214GN-120E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
1214GN-120E |
| 參數(shù)屬性 | 1214GN-120E 封裝/外殼為55-QQ；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 120W, |
| 功能描述 | 120W L-Band Radar GaN Power Transistor and Pallet Amplifier |
| 封裝外殼 | 55-QQ |
| 文件大小 |
488.63 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-1 13:02:00 |
1214GN-120E規(guī)格書(shū)詳情
Key Features
The following are the key features of the 1214GN-120E/EL/EP E-Series Earless/Eared GaN transistor products:
? 1200–1400 MHz, 120 W pulsed output power, 300 μS 10 pulsing
? Common source, Class AB, 50 V bias voltage
? High efficiency: >60 typical across the frequency band
? Extremely compact size
? High power gain: >16.8 dB
? Excellent gain flatness
? Ideal for radar, L-Band avionics, communications, and industrial applications
? Utilizes all-gold metallization and eutectic die attach for highest reliability
? 50 Ω IN/OUT lumped element, very small footprint, plug-and-play pallets available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
1214GN-120E
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
E
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益：
17.16dB
- 功率 - 輸出：
130W
- 封裝/外殼：
55-QQ
- 供應(yīng)商器件封裝：
55-QQ
- 描述：
TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 120W,
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
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