10A015中文資料GHZTECH數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
10A015 |
參數(shù)屬性 | 10A015 封裝/外殼為55FT;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT |
功能描述 | 1.5 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 1000 MHz |
文件大小 |
292.37 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GHZTECH |
中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-16 18:48:00 |
10A015規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The 10A015 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 1.5 Watts of Class A, RF Output power to 1000 MHz. This transistor is specifically designed for general Class A amplifier applications. It utilizes gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
10A015
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
24V
- 頻率 - 躍遷:
2.7GHz
- 增益:
9dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值:
6W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 100mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
750mA
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
接線柱安裝
- 封裝/外殼:
55FT
- 供應(yīng)商器件封裝:
55FT
- 描述:
RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
239 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
DIODES/美臺(tái) |
23+ |
R-6 |
25000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
DIODES/美臺(tái) |
20+ |
SMD |
88800 |
DIODES原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
DIODES/美臺(tái) |
21+ |
R-6 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
Diodes |
24+ |
R-6 |
7500 |
詢價(jià) | |||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
DIODES/美臺(tái) |
2023+ |
R-6 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供 |
詢價(jià) | ||
DIODES/美臺(tái) |
2023 |
R-6 |
7000 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
DIODES |
22+ |
R6 |
25000 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55FT |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |