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100B8R2CT500XT

RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

100B8R2CT500XT1K

Package：1111（2828 公制）；包裝：托盤 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 8.2PF 500V P90 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

100B8R2CT500XT1K

Package：1111（2828 公制）；包裝：托盤 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 8.2PF 500V P90 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

ATC100B8R2CT500XT

RFPowerLDMOSTransistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This63wattasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesigned forcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneous bandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. ?TypicalDohertySingle--Carrier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B8R2CT500XT

RFPowerLDMOSTransistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This38WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycovering thefrequencyrangeof1805to1995MHz. Features ?Designedforwideinstantaneousbandwidthap

nxpNXP Semiconductors

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ATC100B8R2CT500XT

RFPowerLDMOSTransistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These32WRFpowerLDMOStransistorsaredesignedforcellularbase stationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapability coveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. Features ?DesignedforWideInstantaneousBandwidt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B8R2CT500XT

RFPowerFieldEffectTransistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to 2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. ?TypicalSingle--Ca

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B8R2CT500XT

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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原廠渠道 可含稅出貨
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原裝現貨優(yōu)勢出售/高價回收此類庫存
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15+
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157
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更多100B8R2CT500XT供應商 更新時間2025-3-13 16:04:00

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