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06035J5R6ABSTR

包裝：卷帶（TR） 類別：電容器 薄膜電容器 描述：ACCU-F/P

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J5R6ABSTR-500

包裝：卷帶（TR） 類別：電容器 薄膜電容器 描述：ACCU-F/P

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J5R6BBS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312BVisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

06035J5R6BBS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule

Description ?24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features ?Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading ?ExcellentDistortionPerformance ?Built-inInputDiodeProtection ?GaAsFETTransistorTechnology ?Unconditi

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

06035J5R6BS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    06035J5R6ABSTR

  • 制造商：

    KYOCERA AVX

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 描述：

    ACCU-F/P

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更多06035J5R6ABSTR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 16:30:00

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