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06035J1R8BBS電容器的薄膜電容器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

06035J1R8BBS
廠商型號(hào)

06035J1R8BBS

參數(shù)屬性

06035J1R8BBS 包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為電容器的薄膜電容器;產(chǎn)品描述:ACCU-F/P

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

文件大小

678.66 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 17:05:00

06035J1R8BBS規(guī)格書(shū)詳情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA20312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It is suitable for applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as TD-SCDMA, PCS, UMTS and LTE. The amplifier is housed in a cost-effective, surface mount QFN plastic package.

Features

? Frequency: 1800-2200 MHz

? P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)

? Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)

? OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W-CDMA Application Circuit)

? Active Bias Control (adjustable externally)

? Single 5 V Supply

? Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    06035J1R8BBSTR-500

  • 制造商:

    KYOCERA AVX

  • 類(lèi)別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    ACCU-F/P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AVX
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